SQP100N04-3M6_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQP100N04-3M6_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQP100N04-3M6_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-220AB

Birgðir:

12787214
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQP100N04-3M6_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
-
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
120W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SQP100

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SUP40N10-30-E3

MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB

vishay-siliconix

SIHA15N65E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220

vishay-siliconix

SIHB15N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK

vishay-siliconix

SUM33N20-60P-E3

MOSFET N-CH 200V 33A TO263