Framleiðandi Vöru númer:
SQM120P06-07L_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQM120P06-07L_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 60V 120A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
4972 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916007
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQM120P06-07L_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14280 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SQM120
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
SQM120P06-07L_GE3CT
SQM120P06-07L_GE3DKR
SQM120P06-07L-GE3-DG
SQM120P06-07L_GE3TR
SQM120P06-07L-GE3
SQM120P06-07L_GE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIUD402ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
SI6443DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 7.3A 8TSSOP
SI3473CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
