Framleiðandi Vöru númer:
SQM10250E_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQM10250E_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 65A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 65A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
15 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919293
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQM10250E_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4050 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
375W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
SQM10250
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
SQM10250E_GE3TR
SQM10250E_GE3CT
SQM10250E_GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR890DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
SIHP12N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
SIHF22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
