Framleiðandi Vöru númer:
SQJA88EP-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJA88EP-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
2998 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918035
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJA88EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
48W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJA88
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SQJA88EP-T1_GE3DKR
SQJA88EP-T1_GE3TR-DG
SQJA88EP-T1_GE3CT
SQJA88EP-T1_GE3CT-DG
742-SQJA88EP-T1_GE3CT
SQJA88EP-T1_GE3DKR-DG
SQJA88EP-T1_GE3TR
742-SQJA88EP-T1_GE3TR
SQJA88EP-T1_GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SQJA88EP-T1_BE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
3000
HLUTARNÁMR
SQJA88EP-T1_BE3-DG
Einingaverð
0.28
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
SIA443DJ-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
SI4413CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC