SQJA82EP-T1_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQJA82EP-T1_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJA82EP-T1_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

12963821
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQJA82EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJA82

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJA82EP-T1_GE3DKR
SQJA82EP-T1_GE3CT
SQJA82EP-T1_GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
onsemi

NTMFS022N15MC

POWER MOSFET, 150V SINGLE N CHAN

vishay-siliconix

SQJ431EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8

onsemi

FCPF250N65S3R0L-F154

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

onsemi

NTMFS5C426NLT1G

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40