SQJA68EP-T1_BE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQJA68EP-T1_BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJA68EP-T1_BE3-DG

Lýsing:

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

2278 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13000235
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQJA68EP-T1_BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
92mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
45W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SQJA68EP-T1_BE3CT
742-SQJA68EP-T1_BE3DKR
742-SQJA68EP-T1_BE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
diodes

DMT4008LFDF-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-

diodes

DMN3069L-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

taiwan-semiconductor

TSM4806CS

20V, 28A, SINGLE N-CHANNEL POWER

goford-semiconductor

G65P06K

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.