Framleiðandi Vöru númer:
SQJ858AEP-T1_BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJ858AEP-T1_BE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
3000 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12954625
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJ858AEP-T1_BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
58A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2450 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
48W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJ858
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SQJ858AEP-T1_BE3DKR
742-SQJ858AEP-T1_BE3TR
742-SQJ858AEP-T1_BE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
AON7596
MOSFET N-CH 3X3 DFN
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
AON6362FH
MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
