SQJ740EP-T1_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQJ740EP-T1_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJ740EP-T1_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 40V 123A PPAK SO-8L
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 40V 123A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8L Dual BWL

Birgðir:

12960028
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQJ740EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel
FET eiginleiki
Standard
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
123A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3143pF @ 25V
Kraftur - hámark
93W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8L Dual BWL

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SQJ740EP-T1_GE3DKR
742-SQJ740EP-T1_GE3TR
742-SQJ740EP-T1_GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIA923EDJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6

microchip-technology

MSCSM170HRM451AG

SIC 4N-CH 1700V/1200V 64A/89A

vishay-siliconix

SI4973DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC

microchip-technology

MSCSM170HRM11NG

SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A