Framleiðandi Vöru númer:
SQJ488EP-T2_BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJ488EP-T2_BE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
12974730
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJ488EP-T2_BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
42A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
978 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
83W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJ488
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SQJ488EP-T2_BE3TR
742-SQJ488EP-T2_BE3CT
742-SQJ488EP-T2_BE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SQJ488EP-T2_GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SQJ488EP-T2_GE3-DG
Einingaverð
0.45
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
CSD17507Q5AT
IC CLOCK BUFFER
AO3495
MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3
NTMJS1D15N03CGTWG
WIDE SOA
