Framleiðandi Vöru númer:
SQJ479EP-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJ479EP-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 80 V 32A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
47657 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917578
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJ479EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
68W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SQJ479
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJ479EP-T1_GE3DKR
SQJ479EP-T1_GE3TR
SQJ479EP-T1_GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI2321DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23-3
SIHP6N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
SI4378DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
