SQJ479EP-T1_BE3

Framleiðandi Vöru númer:

SQJ479EP-T1_BE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQJ479EP-T1_BE3-DG

Lýsing:

P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 80 V 32A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

8392 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12977720

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SQJ479EP-T1_BE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

80 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

32A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

33mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

150 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

4500 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

68W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® SO-8

Pakki / hulstur

PowerPAK® SO-8

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

742-SQJ479EP-T1_BE3DKR

742-SQJ479EP-T1_BE3TR

742-SQJ479EP-T1_BE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SI3440ADV-T1-BE3

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3476DV-T1-BE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3437DV-T1-BE3

P-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJA64EP-T1_BE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET