Framleiðandi Vöru númer:
SQJ208EP-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQJ208EP-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 40V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Birgðir:
12919443
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQJ208EP-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
33nC @ 10V, 75nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1700pF @ 25V, 3900pF @ 25V
Kraftur - hámark
27W (Tc), 48W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Grunnvörunúmer
SQJ208
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQJ208EP-T1_GE3CT
SQJ208EP-T1_GE3TR
SQJ208EP-T1_GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI5905DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
SI5513DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
SI4830ADY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
