SQD50N04-4M5L_GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SQD50N04-4M5L_GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SQD50N04-4M5L_GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

12787113
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SQD50N04-4M5L_GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5860 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD50

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD50N04-4M5L_GE3DKR
SQD50N04-4M5L_GE3CT
SQD50N04-4M5L_GE3TR
SQD50N04-4M5L_GE3-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHB30N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

vishay-siliconix

SIHB18N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 18A TO263

vishay-siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

vishay-siliconix

SIHG22N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC