Framleiðandi Vöru númer:
SQD100N03-3M4_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQD100N03-3M4_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12918428
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQD100N03-3M4_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7349 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
136W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SQD100
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SQD100N03-3M4_GE3-DG
SQD100N03-3M4_GE3TR
SQD100N03-3M4_GE3CT
SQD100N03-3M4_GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD031N03LGATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
4331
HLUTARNÁMR
IPD031N03LGATMA1-DG
Einingaverð
0.51
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
SIE812DF-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 60A 10POLARPAK
SIE808DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
