Framleiðandi Vöru númer:
SQ2318AES-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQ2318AES-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Birgðir:
30231 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787703
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQ2318AES-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
555 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
SOT-23-3 (TO-236)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SQ2318
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SQ2318AES-T1_GE3DKR
SQ2318AES-T1_GE3CT
SQ2318AES-T1_GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIUD412ED-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 500MA PPAK 0806
SQ2315ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
SIHB30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
