Framleiðandi Vöru númer:
SQ2301ES-T1_GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SQ2301ES-T1_GE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 20 V 3.9A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Birgðir:
6870 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786214
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SQ2301ES-T1_GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
425 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TA)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-236 (SOT-23)
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grunnvörunúmer
SQ2301
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SQ2301ES-T1_GE3DKR
742-SQ2301ES-T1_GE3CT
SQ2301ES-T1_GE3CT
742-SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR
SQ2301ES-T1_GE3TR-DG
SQ2301ES-T1_GE3CT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHP30N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
SUD50N025-06P-E3
MOSFET N-CH 25V 78A TO252
SIJ438ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK