SIZ918DT-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIZ918DT-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIZ918DT-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)

Birgðir:

21637 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787776
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
XMzQ
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIZ918DT-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Half Bridge)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A, 28A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
790pF @ 15V
Kraftur - hámark
29W, 100W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-PowerWDFN
Birgir tæki pakki
8-PowerPair® (6x5)
Grunnvörunúmer
SIZ918

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

VQ1001P-E3

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

vishay-siliconix

SIZ328DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33

vishay-siliconix

SI7946DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8

stmicroelectronics

A1F25M12W2-F1

SIC 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1