Framleiðandi Vöru númer:
SIZ918DT-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIZ918DT-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8PWRPAIR
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Birgðir:
21637 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12787776
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
h7k3
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIZ918DT-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Half Bridge)
FET eiginleiki
Logic Level Gate
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A, 28A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
21nC @ 10V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
790pF @ 15V
Kraftur - hámark
29W, 100W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
8-PowerWDFN
Birgir tæki pakki
8-PowerPair® (6x5)
Grunnvörunúmer
SIZ918
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIZ918DT-T1-GE3CT
SIZ918DT-T1-GE3TR
SIZ918DT-T1-GE3DKR
SIZ918DTT1GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
VQ1001P-E3
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
SIZ328DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8PWR33
SI7946DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO8
