Framleiðandi Vöru númer:
SISS92DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISS92DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 3.4A/12.3A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 3.4A (Ta), 12.3A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Birgðir:
12962564
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISS92DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3.4A (Ta), 12.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
173mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
350 pF @ 125 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS92
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISS92DN-T1-GE3TR
SISS92DN-T1-GE3DKR
SISS92DN-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
LSIC1MO120G0120
MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L
STH60N099DM9-2AG
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
IXFP36N60X3
MOSFET ULTRA JCT 600V 36A TO220
