SISS80DN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SISS80DN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SISS80DN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 20 V 58.3A (Ta), 210A (Tc) 5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Birgðir:

11874 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12939794
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SISS80DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
20 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
58.3A (Ta), 210A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
0.92mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+12V, -8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6450 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 65W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS80

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SISS80DN-T1-GE3-DG
Gagnaplakks
SISS80DN-T1-GE3
Gagnablöð
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SISS80DN-T1-GE3TR
742-SISS80DN-T1-GE3CT
742-SISS80DN-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
onsemi

NVMFWS016N06CT1G

MOSFET N-CH 60V 10A/33A 5DFN

onsemi

NTMFS5C628NT1G

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

onsemi

NVTFWS024N06CTAG

MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN

onsemi

NTMYS9D3N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V T6 LFPAK4