SISS27ADN-T1-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SISS27ADN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SISS27ADN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

Mikilvægar upplýsingar:

P-Channel 30 V 50A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Birgðir:

8999 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12920501

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SISS27ADN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

TrenchFET® Gen III

Staða vöru

Active

FET gerð

P-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

50A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

5.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

55 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

4660 pF @ 15 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

57W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

PowerPAK® 1212-8S

Pakki / hulstur

PowerPAK® 1212-8S

Grunnvörunúmer

SISS27

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SISS27ADN-T1-GE3-DG

Gagnaplakks

SISS27ADN-T1-GE3

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

SISS27ADN-T1-GE3TR

SISS27ADN-T1-GE3DKR

SISS27ADN-T1-GE3CT

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH info available upon request

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SUD08P06-155L-T4E3

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252

vishay-siliconix

SIR826DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

onsemi

FQP85N06

MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3