SISS22LDN-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SISS22LDN-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SISS22LDN-T1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 60 V 25.5A (Ta), 92.5A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

Birgðir:

12070 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13143018
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SISS22LDN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2540 pF @ 30 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS22

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SISS22LDN-T1-GE3CT
742-SISS22LDN-T1-GE3TR
742-SISS22LDN-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHD6N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 5A DPAK

texas-instruments

CSD25402Q3AT

MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON

onsemi

FDMC2512SDC

MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

onsemi

FDS4488

MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC