Framleiðandi Vöru númer:
SISS10ADN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISS10ADN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 31.7A (Ta), 109A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Birgðir:
28765 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918050
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISS10ADN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
31.7A (Ta), 109A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3030 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8S
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8S
Grunnvörunúmer
SISS10
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISS10ADN-T1-GE3TR
SISS10ADN-T1-GE3CT
SISS10ADN-T1-GE3DKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHP14N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
SQ1431EH-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6
SIHG33N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC
