Framleiðandi Vöru númer:
SISB46DN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SISB46DN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Mikilvægar upplýsingar:
Mosfet Array 40V 34A (Tc) 23W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Birgðir:
8024 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917456
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SISB46DN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Stelling
2 N-Channel (Dual)
FET eiginleiki
-
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.71mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1100pF @ 20V
Kraftur - hámark
23W
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8 Dual
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8 Dual
Grunnvörunúmer
SISB46
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SISB46DN-T1-GE3CT
SISB46DN-T1-GE3DKR
SISB46DN-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJ952EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 23A PPAK SO8
SI4565ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 6.6A 8SOIC
SIA914DJ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
