Framleiðandi Vöru númer:
SIS822DNT-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIS822DNT-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
12919572
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIS822DNT-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
435 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
15.6W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS822
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RF4E080BNTR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
2036
HLUTARNÁMR
RF4E080BNTR-DG
Einingaverð
0.22
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
RF4E075ATTCR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
7776
HLUTARNÁMR
RF4E075ATTCR-DG
Einingaverð
0.19
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7388DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SIHF5N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220
SQ4050EY-T1_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V 19A 8SOIC
