Framleiðandi Vöru númer:
SIS128LDN-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIS128LDN-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 10.2A (Ta), 33.7A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Birgðir:
8250 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917517
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIS128LDN-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
10.2A (Ta), 33.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1250 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.6W (Ta), 39W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® 1212-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® 1212-8
Grunnvörunúmer
SIS128
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIS128LDN-T1-GE3DKR
2266-SIS128LDN-T1-GE3TR
SIS128LDN-T1-GE3TR
SIS128LDN-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUM18N25-165-E3
MOSFET N-CH 250V 18A TO263
BUK964R2-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
SQJA78EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
