Framleiðandi Vöru númer:
SIRA32DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA32DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
5894 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12966333
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA32DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
25 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+16V, -12V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4450 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
65.7W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA32
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA32DP-T1-RE3CT
SIRA32DP-T1-RE3DKR
SIRA32DP-T1-RE3TR
SIRA32DP-T1-RE3-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIHF12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
SIR826DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SQS420EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A PPAK1212-8
