Framleiðandi Vöru númer:
SIRA18BDP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIRA18BDP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 19A (Ta), 40A (Tc) 3.8W (Ta), 17W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
10146 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12918118
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIRA18BDP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
6.83mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
+20V, -16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
680 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
3.8W (Ta), 17W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIRA18
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIRA18BDP-T1-GE3DKR
SIRA18BDP-T1-GE3CT
SIRA18BDP-T1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7459DP-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
SI6459BDQ-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8TSSOP
SIHG32N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
