Framleiðandi Vöru númer:
SIR681DP-T1-RE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIR681DP-T1-RE3-DG
Lýsing:
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 80 V 17.6A (Ta), 71.9A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
12948263
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIR681DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4850 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR681
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
742-SIR681DP-T1-RE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
QH8KA4TCR
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
18377
HLUTARNÁMR
QH8KA4TCR-DG
Einingaverð
0.37
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJ147ELP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 90A PPAK SO-8
SQW61N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
SQJ136ELP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
