SIR668DP-T1-RE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIR668DP-T1-RE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIR668DP-T1-RE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 95A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Birgðir:

10175 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12920948
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIR668DP-T1-RE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET® Gen IV
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
95A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
83 nC @ 7.5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
5400 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
104W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIR668

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIR668DP-T1-RE3CT
SIR668DP-T1-RE3TR
SIR668DP-T1-RE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN2R903PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 70A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R504PL,LQ

MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TPWR6003PL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP