Framleiðandi Vöru númer:
SIJ478DP-T1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIJ478DP-T1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 80 V 60A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Birgðir:
12917862
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIJ478DP-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchFET®
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
80 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1855 pF @ 40 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK® SO-8
Pakki / hulstur
PowerPAK® SO-8
Grunnvörunúmer
SIJ478
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIJ478DP-T1-GE3TR
SIJ478DP-T1-GE3DKR
SIJ478DP-T1-GE3CT
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
RS6N120BHTB1
FRAMLEIÐANDI
Rohm Semiconductor
Fjöldi í boði
1763
HLUTARNÁMR
RS6N120BHTB1-DG
Einingaverð
1.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7446BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
SUD25N04-25-E3
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
