Framleiðandi Vöru númer:
SIHW61N65EF-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHW61N65EF-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AD
Birgðir:
12965790
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
jWxn
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHW61N65EF-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
371 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7407 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
520W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AD
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHW61
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
480
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STW72N60DM2AG
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
600
HLUTARNÁMR
STW72N60DM2AG-DG
Einingaverð
6.50
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPW60R040C7XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
464
HLUTARNÁMR
IPW60R040C7XKSA1-DG
Einingaverð
6.74
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQJA38EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
SIR862DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
SI7860DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
