SIHU4N80AE-GE3

Framleiðandi Vöru númer:

SIHU4N80AE-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHU4N80AE-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 800 V 4.3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)

Birgðir:

2995 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

12786674

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

SIHU4N80AE-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Vishay

Pakkning

Tube

Röð

E

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

800 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.3A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.27Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

32 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±30V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

622 pF @ 100 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

69W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

IPAK (TO-251)

Pakki / hulstur

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Grunnvörunúmer

SIHU4

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

SIHU4N80AE-GE3-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

2266-SIHU4N80AE-GE3

SIHU4N80AE-GE3-DG

742-SIHU4N80AE-GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

vishay-siliconix

SIR812DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS184DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK

vishay-siliconix

SQD40031EL_GE3

MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA

vishay-siliconix

SQJA96EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8