Framleiðandi Vöru númer:
SIHP33N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP33N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
695 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12919474
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP33N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP33
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SIHP33N60EGE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SUD40151EL-GE3
MOSFET P-CH 40V 42A TO252AA
SI3440DV-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
SQJ860EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
