Framleiðandi Vöru númer:
SIHP22N65E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHP22N65E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12919599
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHP22N65E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2415 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
SIHP22
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPP65R190E6XKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
580
HLUTARNÁMR
IPP65R190E6XKSA1-DG
Einingaverð
1.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCP190N65F
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
1600
HLUTARNÁMR
FCP190N65F-DG
Einingaverð
1.98
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCP190N60E
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
695
HLUTARNÁMR
FCP190N60E-DG
Einingaverð
1.62
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4421DY-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 10A 8SO
SIHG21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO247AC
SIHF540S-GE3
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
