SIHK155N60E-T1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHK155N60E-T1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHK155N60E-T1-GE3-DG

Lýsing:

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PowerPAK®10 x 12

Birgðir:

13004008
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHK155N60E-T1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1514 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PowerPAK®10 x 12
Pakki / hulstur
8-PowerBSFN
Grunnvörunúmer
SIHK155

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
742-SIHK155N60E-T1-GE3CT
742-SIHK155N60E-T1-GE3TR
742-SIHK155N60E-T1-GE3DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

GT023N10M

N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4