Framleiðandi Vöru númer:
SIHG33N60E-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG33N60E-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12919187
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG33N60E-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3508 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG33
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK28N65W,S1F
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
30
HLUTARNÁMR
TK28N65W,S1F-DG
Einingaverð
2.69
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
SPW35N60C3FKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
198
HLUTARNÁMR
SPW35N60C3FKSA1-DG
Einingaverð
5.72
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI7457DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
SQM120P04-04L_GE3
MOSFET P-CH 40V 120A TO263
SQM40020E_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263
