Framleiðandi Vöru númer:
SIHG24N65EF-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG24N65EF-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12920393
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG24N65EF-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2774 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG24
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPW60R165CPFKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
200
HLUTARNÁMR
IPW60R165CPFKSA1-DG
Einingaverð
2.54
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
FCH170N60
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
11513
HLUTARNÁMR
FCH170N60-DG
Einingaverð
2.97
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQ1421EDH-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
SIHP690N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
SIHFL9014TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
