SIHG24N65E-E3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHG24N65E-E3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHG24N65E-E3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC

Birgðir:

RFQ á netinu
12965892
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHG24N65E-E3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2740 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
250W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG24

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIHG24N65E-E3-DG
Gagnaplakks
SIHG24N65E-E3
Gagnablöð
SIHG24N65E

Aukainformation

Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SIHG24N65EE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXFH50N60P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
386
HLUTARNÁMR
IXFH50N60P3-DG
Einingaverð
5.53
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHG73N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 69A TO247AC

vishay-siliconix

SIR172ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR158DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIR870ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8