Framleiðandi Vöru númer:
SIHG22N65E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG22N65E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12964780
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG22N65E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2415 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
227W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG22
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
25
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STW28N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
96
HLUTARNÁMR
STW28N60M2-DG
Einingaverð
1.56
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
SQJQ148ER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
