Framleiðandi Vöru númer:
SIHG22N50D-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG22N50D-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12960448
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG22N50D-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
230mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1938 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
312W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG22
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STW19NM50N
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
337
HLUTARNÁMR
STW19NM50N-DG
Einingaverð
3.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STW20NK50Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
728
HLUTARNÁMR
STW20NK50Z-DG
Einingaverð
2.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFJ26N50P3
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
30
HLUTARNÁMR
IXFJ26N50P3-DG
Einingaverð
13.52
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTH24N50L
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTH24N50L-DG
Einingaverð
26.61
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTH16N50D2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
291
HLUTARNÁMR
IXTH16N50D2-DG
Einingaverð
10.39
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI1426DH-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
IRFRC20TRR
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
SI7172DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
