Framleiðandi Vöru númer:
SIHG21N80AEF-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG21N80AEF-GE3-DG
Lýsing:
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 16.3A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
464 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12958996
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG21N80AEF-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Bulk
Röð
EF
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1511 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
179W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
742-SIHG21N80AEF-GE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
MCU15N10-TP
MOSFET N-CH
MCU02N80-TP
MOSFET N-CH
PMV13XNEAR
PMV13XNEA - 20 V, N-CHANNEL TREN
