SIHG17N80AEF-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHG17N80AEF-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHG17N80AEF-GE3-DG

Lýsing:

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 15A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AC

Birgðir:

296 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12949159
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHG17N80AEF-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
EF
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
305mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1300 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
179W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
SIHG17N80AEF-GE3-DG
Gagnaplakks
SIHG17N80AEF-GE3
Gagnablöð
SIHG17N80AEF

Aukainformation

Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
742-SIHG17N80AEF-GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SIHA5N80AE-GE3

E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD

vishay-siliconix

SI3129DV-T1-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP

nexperia

PXP6R7-30QLJ

PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

PXP013-30QLJ

PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33