Framleiðandi Vöru númer:
SIHG17N60D-E3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHG17N60D-E3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole TO-247AC
Birgðir:
12787351
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHG17N60D-E3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1780 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
277.8W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
SIHG17
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
SIHG17N60D-E3CT
SIHG17N60D-E3CT-DG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFH22N60P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFH22N60P-DG
Einingaverð
5.01
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR482DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SIHP11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
SISA96DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
