SIHG15N80AEF-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHG15N80AEF-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHG15N80AEF-GE3-DG

Lýsing:

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247AC

Birgðir:

473 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12992492
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHG15N80AEF-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
EF
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1128 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
156W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247AC
Pakki / hulstur
TO-247-3

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
25
Önnur nöfn
742-SIHG15N80AEF-GE3

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

G16N03S

MOSFET N-CH 30V 16A SOP-8

vishay-siliconix

SQJ164ELP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

goford-semiconductor

GT110N06D5

N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4