Framleiðandi Vöru númer:
SIHF30N60E-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHF30N60E-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 37W (Tc) Through Hole
Birgðir:
2979 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12786617
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHF30N60E-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2600 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
37W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
SIHF30
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
SIHF30N60E-GE3DKRINACTIVE
SIHF30N60E-GE3DKR
SIHF30N60E-GE3DKR-DG
742-SIHF30N60E-GE3
SIHF30N60E-GE3CT
SIHF30N60E-GE3CT-DG
SIHF30N60E-GE3TR
SIHF30N60E-GE3-DG
SIHF30N60E-GE3TR-DG
SIHF30N60E-GE3TRINACTIVE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIR166DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SISS60DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
SIHP16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
