Framleiðandi Vöru númer:
SIHD6N65ET5-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD6N65ET5-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12916404
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD6N65ET5-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
820 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA14N60P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
50
HLUTARNÁMR
IXFA14N60P-DG
Einingaverð
2.25
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQD50034EL_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
SIHA120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
