Framleiðandi Vöru númer:
SIHD6N62ET1-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD6N62ET1-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 620 V 6A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12787179
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD6N62ET1-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
E
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
620 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
578 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
78W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD6
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
SIHD6N62ET1-GE3DKR
SIHD6N62ET1-GE3CT
SIHD6N62ET1-GE3-DG
SIHD6N62ET1-GE3TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STB6NK60ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
33
HLUTARNÁMR
STB6NK60ZT4-DG
Einingaverð
1.02
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SQM120P10_10M1LGE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
SUP90N06-5M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUM27N20-78-E3
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
