SIHD3N50DT1-GE3
Framleiðandi Vöru númer:

SIHD3N50DT1-GE3

Product Overview

Framleiðandi:

Vishay Siliconix

Völu númer:

SIHD3N50DT1-GE3-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

13277369
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

SIHD3N50DT1-GE3 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD3

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
2,000
Önnur nöfn
742-SIHD3N50DT1-GE3TR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
STD3N40K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
63
HLUTARNÁMR
STD3N40K3-DG
Einingaverð
1.13
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQD40N06-14L_T4GE3

MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA

vishay-siliconix

SQC40016E_DFFR

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SQJ464EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SQR100N04-3M8R_GE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET