Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
SIHD3N50D-GE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD3N50D-GE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 3A TO252AA
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount DPAK
Birgðir:
2980 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12917629
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD3N50D-GE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
DPAK
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD3
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
SIHD3N50D-GE3-DG
Gagnaplakks
SIHD3N50D-GE3
Gagnablöð
SIHD3N50D
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
SIHD3N50DGE3
SIHD3N50D-GE3CT-DG
SIHD3N50D-GE3TR-DG
SIHD3N50D-GE3TR
SIHD3N50D-GE3DKR-DG
SIHD3N50D-GE3CT
SIHD3N50D-GE3TRINACTIVE
SIHD3N50D-GE3DKR
SIHD3N50D-GE3DKRINACTIVE
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
TK3P50D,RQ(S
FRAMLEIÐANDI
Toshiba Semiconductor and Storage
Fjöldi í boði
1899
HLUTARNÁMR
TK3P50D,RQ(S-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
STD3NK50ZT4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
2443
HLUTARNÁMR
STD3NK50ZT4-DG
Einingaverð
0.42
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
AOD3N50
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
8729
HLUTARNÁMR
AOD3N50-DG
Einingaverð
0.21
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
SI4686DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
SIS436DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP