Framleiðandi Vöru númer:
SIHD3N50D-BE3
Product Overview
Framleiðandi:
Vishay Siliconix
Völu númer:
SIHD3N50D-BE3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12971143
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
SIHD3N50D-BE3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Vishay
Pakkning
Tube
Röð
D
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
175 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
69W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
SIHD3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
75
Önnur nöfn
742-SIHD3N50D-BE3
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
PJQ4444P-AU_R2_000A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
AO3487
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
PJW5N10A_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
